英特爾即將推出Intel 18A製程要挑戰同樣2025年台積電N2製程，雖然英特爾宣稱Intel 18A超越N2，使英特爾重回製程領先。但鑑於現代設計SRAM電晶體密集度，考量單元尺寸大小，先進制程主要比較基礎，根據ISSCC 2025先期計劃，Intel 18A節點製程（1.8納米級）SRAM密度仍遠低於台積電N2節點製程，更接近台積電N3。但與N2製程相較，Intel 18A還是有其他優勢。
Tom′s hardware報道，英特爾Intel18A節點製程有0.021µm² 高密度SRAM位元單元尺寸尺寸高，但與N3E和N5單元尺寸大致相同。台積電N2將HSRAM位元單元尺寸縮小至0.0175µm²，SRAM電晶體密度達38Mb/mm²。
雖然Intel18A和N2都是GAA電晶體架構，但與英特爾不同的是，與依賴FinFET電晶體架構上代相比，台積電成功大幅縮小高密度SRAM單元尺寸。除了SRAM單元大小，SRAM的關鍵特性是功耗。但還不知Intel18A和N2差距。
英特爾Intel18A比前代有兩大優勢，首先是GAA電晶體架構和背面供電網路 (BSPDN)。BSPDN不僅有望改善電晶體的功率傳輸，進一步提高某些設計的性能效率，而且還使設計人員能夠縮小電晶體的尺寸，進而提高邏輯電晶體密度。
儘管晶片設計使用大量SRAM，且密度對每時代發展至關重要，但邏輯密度比HDC SRAM密度更重要。還無法比較Intel18A和N2，邏輯密度也很難估計，因每種製程都有高密度、高性能和低功耗結構設計，通常單一設計混合和匹配，最後落實量產產品。處理器邏輯密度，英特爾和台積電也未透露。
現代製程最難擴展問題之一是SRAM密度，因設計複雜、穩定性和可靠性要求，以及較小節點可變性增加。與其他生產節點相比，現代技術可能有更大SRAM單元尺寸，但這方面來說不奇怪。
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