長鑫儲存被曝進軍 NAND 快閃記憶體市場 新廠擬建研發生產線

9月18日，據路透社援引三位知情人士消息，長鑫儲存正計劃進入需求快速攀升的快閃記憶體（flash memory）市場。知情人士稱，長鑫儲存擬在北京新建工廠內建設一條用於 NAND 快閃記憶體研發的生產線。同時，該公司已在北京設立研發機構，相關研發項目涉及 NAND 技術開發。

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據稱長鑫儲存已圍繞 NAND 業務規劃與客戶展開接觸，其中包括一家新成立的初創企業。該企業計劃採購長鑫儲存的 NAND 晶片，用於人工智慧系統及超級電腦儲存產品的研發與部署。

TrendForce 集邦諮詢數據顯示，按營收口徑計算，2026年第二季度三星電子以29.3%的市場份額位居全球快閃記憶體市場第一，SK海力士排名第二，美光緊隨其後。

在 DRAM 業務方面，長鑫儲存2026年第二季度營收達到146.24億美元（按當前匯率約合983億元），環比增長99.3%;其市占率從2026年第一季度的7.6%提升至9.5%。