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為反超三星,SK海力士或在HBM4E上引入台積電3nm工藝

2026年03月22日 首頁 » 熱門科技

在數據中心大量需要HBM記憶體的情況下,三星可以說是出盡了風頭。但其實,SK海力士才是HBM市場的老大。去年第三季度,SK海力士的營收市占率達57%,而三星和美光則分別只有22%和21%。但在市場風評中,SK海力士的HBM4為反超三星SK海力士或在HBM4E上引入台積電3nm工藝性能卻不如三星,這使得他們有些尷尬,在HBM4E為反超三星SK海力士或在HBM4E上引入台積電3nm工藝上將著重提升性能,以奪回被三星搶走的風頭。

為反超三星SK海力士或在HBM4E上引入台積電3nm工藝
SK海力士在CES2026上展示的HBM4

據韓國《朝鮮日報》報道,SK海力士正在考慮引入台積電的3nm工藝為反超三星SK海力士或在HBM4E上引入台積電3nm工藝作為HBM4E邏輯晶片的主要製造工藝,因為他們提供給英偉達為反超三星SK海力士或在HBM4E上引入台積電3nm工藝的HBM4採用10nm級第五代(1b)DRAM核心晶片和基於台積電12nm工藝的邏輯晶片,而三星則是10nm級第六代(1c)DRAM工藝的核心晶片和4nm工藝的邏輯晶片,從製程上就可以看出三星的HBM4性能會更優秀,三星也是業內首個量產出貨HBM4的公司,結結實實地搶了SK海力士的風頭。 

為反超三星SK海力士或在HBM4E上引入台積電3nm工藝

在HBM4產品上,SK海力士是英偉達的最大供應商。業內人士稱,其拿下了英偉達HBM訂單的至少2/3,遠高於三星。但畢竟SK海力士要大批量供貨,所以把穩定性和良率放在重點。現在SK海力士看到自己落後了這麼多,也決心提高自己產品的性能,於是有引入台積電3nm製程生產邏輯晶片的打算。

為反超三星SK海力士或在HBM4E上引入台積電3nm工藝

不過業內人士指出,在目前「定製化HBM為反超三星SK海力士或在HBM4E上引入台積電3nm工藝」風潮下,客戶會選擇根據自己的需求來定製邏輯晶片,所以不管是3nm還是12nm製程都會被考慮進來。考慮到英偉達下一代的頂級AI晶片Vera Rubin Ultra版本大概率會用到更先進的HBM4E,SK海力士如果不希望訂單被三星搶走,上3nm製程會是必選項。三星都已經在英偉達GTC2026大會上秀出自己的HBM4E了,SK海力士看著能不著急嗎?

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