據Wccftech報道，長鑫儲存（CXMT）已經在DRAM電晶體中導入了高K金屬柵極（HKMG）技術，緩解了製程微縮帶來的漏電問題，消除了最大的技術瓶頸，為推向更先進的1αnm DRAM製程節點又邁出了一大步。長鑫儲存採用了二氧化鉿（HfO₂）等材料，替代了傳統的矽基絕緣層，另外還以定製化金屬柵極堆疊取代傳統多晶矽柵極，提升了器件效率。
1α（1-alpha）屬於第四代10nm級別DRAM工藝，SK海力士和美光等DRAM晶片製造商大概在2022年前後引入，先後用於製造DDR4/5和LPDDR4(X)/5(X)等產品。傳聞長鑫儲存可能很快從1znm DRAM轉向1αnm DRAM工藝，預計率先用於LPDDR5X和HBM3產品。
為了應對長鑫儲存的威脅，三大原廠正在加速轉向下一代10nm以下級別的DRAM工藝，另外還關注4F²單元結構和3D DRAM技術。
除了推動新一代DRAM製造技術的研發外，長鑫儲存還在積極擴張產能。按照之前的說法，預計到2026年末，長鑫儲存的產能就將提升至每月30萬至35萬片晶圓。與此同時，長鑫儲存在合肥和上海都有新的晶圓廠在興建當中，全面投產後，每月產能將提升至60萬片晶圓。預計2026年至2031年的五年時間裡，長鑫儲存的產能將每年增加大概10萬片晶圓，最終在2031年達到約每月80萬片晶圓，預計在2030年之前就能超過美光。
另外有消息稱，長鑫儲存還將劃出每月5萬片晶圓的產能，專門用於生產HBM產品。
