上周有報道稱，SK海力士正在準備大規模擴張DRAM產能。根據SK海力士與主要供應商分享計劃，大概到2030年至2031年前後，SK海力士將DRAM產能提升至幾乎當前（每月約55萬片晶圓）翻倍的水平，其中也包含了在無錫的產能（每月約20萬片晶圓）。
據TrendForce報道，近日SK集團董事長崔泰源表態，稱現在目標是到2034年整體晶圓產能提升至目前的三倍。崔泰源表示，SK海力士的產能擴張時間線已經提前了大約十年，需求增長如此之快，即便產能再加速也可能會失效。
SK海力士的擴建工程主要集中在韓國京畿道龍仁市的龍仁半導體集群
，這是一個超大型半導體製造園區，首座晶圓廠計劃2027年初投產。預計到2030年上半年能每月增加36萬片晶圓，增強SK海力士對客戶需求的響應能力。另外一項擴建工程位於韓國忠清北道清州市的M15X，計劃2026年下半年開始運營，初始產能為每月4萬片晶圓，到2027年將進一步提升至8萬片。
另外有消息指出，SK海力士正在準備年底前開始NAND快閃記憶體的量產工作，目前已完成驗證工作。一開始SK海力士打算提供超過400層的NAND快閃記憶體，但是受制於設備的製造難度問題，後來修訂為375層，長期規劃則是480層和604層。值得注意的是，SK海力士還在375層結構上做出了關鍵設計調整，以鉬（Mo）部分替代了之前使用的鎢（W）作為字線金屬柵極材料。
