考慮到2027年DRAM供應持續緊張，英偉達評估下調Rubin Ultra HBM配置

隨著Rubin進入量產階段，英偉達的開發重點逐漸轉向下一代Rubin  Ultra。與Rubin採用2-Die架構不同，英偉達打算在Rubin  Ultra上採用4-Die架構，單個封裝內的HBM模組也將從8個增至16個，採用台積電的CoWoS-L封裝。然而過去幾個月裡，傳出了不少Rubin   Ultra的負面消息，比如封裝遇到了變形問題影響良品率，英偉達可能會尋找替代方案。英偉達很快將面臨另外一個現實問題，DRAM供不應求的局面將延續到2027年。

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據TrendForce報道，考慮到當下DRAM的供應情況，加上HBM4E的驗證進度存在變量，英偉達從今年第三季度起對Rubin   Ultra的HBM配置進行了更改。除了原有的12層堆疊HBM4E外，還並行評估8層堆疊HBM4E、12層堆疊HBM4、8層堆疊HBM4等方案，暫時還沒有做最後決定。其實大家所遇到的困境是一樣的，部分雲端服務供應商也正考慮調降下一代自研ASIC的HBM容量設計。

最近儲存供應問題已經導致業界出現了多次規格調整。英偉達考慮到LPDDR5X的供應短缺持續，已經決定將Vera Rubin Superchip所搭載的SOCAMM容量減半。另外2026年上半年以來，還有眾多廠商將伺服器陸續下調RDIMM容量。

目前HBM4E的驗證和量產仍然存在不確定性，瓶頸除了產能和良品率，還有速率是否能達到14-16Gbps，有可能限制在11-12Gbps。