在2025年IEEE國際電子器件大會（IEDM 2025）上，英特爾代工展示了針對AI時代系統級晶片設計的關鍵技術突破——下一代嵌入式去耦電容器，這一創新有望解決電晶體持續微縮過程中面臨的供電瓶頸，為AI和高性能晶片提供了更穩定、更高效的電源解決方案。
電容材料創新
英特爾代工的研究人員展示了三種新型金屬-絕緣體-金屬（MIM）電容器材料，用於深溝槽結構：
（1）鐵電鉿鋯氧化物（HfZrO）：利用鐵電材料的自發極化特性，在納米級尺度下實現高介電常數；
（2）二氧化鈦（TiO₂）：具有優異的介電性能和熱穩定性；
（3）鈦酸鍶（SrTiO₃）：鈣鈦礦結構材料，在深溝槽中展現出卓越的電容密度。
這些材料可通過原子層沉積（ALD）在深溝槽結構中實現均勻且可控的薄膜生長，從而顯著改善界面質量，並提升器件可靠性。
突破性性能指標
該技術實現了跨代際的飛躍，具體表現在：
（2）電容密度：達到60-98 fF/μm²，相比當前先進技術實現顯著提升；
（2）漏電性能：漏電水平比行業目標低1000倍，大幅降低靜態功耗；
（3）可靠性：不影響電容漂移和擊穿電壓等指標。
系統級優勢
這一技術突破將為AI晶片設計帶來多重優勢，包括電源完整性提升，有效抑制電源噪聲和電壓波動。在熱管理協同優化方面，實現電熱協同優化，為高功率AI晶片提供更穩定的工作環境。它還有助於在有限晶片面積內實現更高的電容密度，為功能模塊集成釋放更多空間，實現晶片面積優化。
在下一代先進CMOS工藝中，一系列穩定、低漏電的MIM電容密度增強技術具有相當的應用潛力。英特爾代工將致力於持續創新，為AI時代的高性能計算晶片提供關鍵的電源管理解決方案。
