根據報道，台積電在2nm製程節點上取得了重大突破，將在生產中首次引入Gate-all-around FETs（GAAFET）電晶體技術。
此外，N2工藝還結合了NanoFlex技術，為晶片設計人員提供了前所未有的標準元件靈活性。相比於目前的N3E工藝，N2工藝預計將在相同功率下實現10%至15%的性能提升，或在相同頻率下將功耗降低25%至30%。更為令人在意的是，電晶體密度將提升15%，這標誌著台積電在半導體技術領域的又一次飛躍。
報道中稱，台積電在2nm工藝將繼續漲價，每片晶圓超3萬美元、達4/5nm兩倍。
