SK海力士宣布，將在韓國龍仁和清州新建晶圓廠，這是落實其今年6月公布的中長期投資戰略的又一關鍵進展，以應對AI時代持續增長的儲存器需求。其中龍仁Y2項目投資35.2萬億韓元，另外清州M17項目投資19.1萬億韓元，合計投資約54萬億韓元。
SK海力士表示：「在AI時代，僅憑技術競爭力已不足以保持優勢；能否在客戶所需時間點交付足量產品，才是真正的競爭力。此次投資決定是基於對市場需求進行充分評估後作出的。」
圖：龍仁半導體集群
鳥瞰圖
龍仁Y2是SK海力士在龍仁半導體集群內依次建設的四座晶圓廠中的第二座，總建築面積約34.1萬坪（約113萬平方米），將作為DRAM生產基地投入運營。項目計劃明年7月開工，2029年6月啟用首個無塵室，投資將分階段實施至2031年10月，主要生產HBM等新一代DRAM產品。目前Y1晶圓廠建設進展順利，預計明年2月啟用首個無塵室。
龍仁半導體集群位於韓國京畿道龍仁市處仁區遠三面一帶，占地約126萬坪（約416萬平方米）。今年早些時候，SK海力士已經將龍仁半導體集群的整體竣工時間由原定的2045年大幅提前至2033年，需要完成四座晶圓廠的建設。
圖：清州M17晶圓廠鳥瞰圖
清州M17是新的NAND快閃記憶體生產基地，總建築面積約20.6萬坪（約68萬平方米），計劃明年2月開工，2028年12月啟用首個無塵室，投資期將持續至2031年4月。其所屬的清州園區已建成M11、M12、M15三座生產設施，可與現有產線協同增效。
