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台積電助力英偉達Feynman架構:A16工藝、SoIC和CPO齊上,預計2028H2到來

2026年08月15日 首頁 » 其他

在去年初的GTC 2025大會上,英偉達台積電助力英偉達Feynman架構A16工藝SoIC和CPO齊上預計2028H2到來更新了數據中心GPU路線圖,公布了下下一代數據中心GPU架構的名字,稱為「Feynman台積電助力英偉達Feynman架構A16工藝SoIC和CPO齊上預計2028H2到來」,名字取自於著名物理學家Richard Phillips Feynman,未來將接替「Rubin」。今年早些時候英偉達已確認,Feynman將首次採用3D堆疊技術,屬於全新的性能擴展方式,另外還將使用定製HBM,每個GPU對應的HBM容量提升至1TB,並進一步提高頻寬。

台積電助力英偉達Feynman架構A16工藝SoIC和CPO齊上預計2028H2到來

據DigiTimes報道,隨著Vera Rubin進入量產爬坡階段,英偉達正在將研發與供應鏈資源切換到Feynman,朝著3D chiplet、SoIC台積電助力英偉達Feynman架構A16工藝SoIC和CPO齊上預計2028H2到來和共封裝光學(CPO台積電助力英偉達Feynman架構A16工藝SoIC和CPO齊上預計2028H2到來)方向發展,預計2028年下半年到來,其中也牽動著台積電(TSMC)的先進半導體製造與封裝技術升級。

目前英偉達已經取代蘋果,成為了台積電先進制程和封裝的最大客戶。為了滿足英偉達產品架構的快速演進,台積電正在大規模擴張產能,特別是先進封裝方面。除了現有的CoWoS,接下來SoIC、CoPoS、CPO等將同步展開。

Feynman將直接繞過台積電初期的2nm工藝,選擇相同製程節點的升級版A16工藝台積電助力英偉達Feynman架構A16工藝SoIC和CPO齊上預計2028H2到來,並導入SoIC 3D封裝技術,再搭配定製HBM及CPO。SoIC與CoWoS並非替代關係,而是不同層次的技術組合,前者負責邏輯、SRAM及其他功能晶片模組的垂直整合,CoWoS及未來的CoPoS負責邏輯晶片和HBM的水平整合,兩者結合後就會形成2.5D與3D並存的系統級封裝(SiP)架構。

台積電還在積極推進COUPE(Compact Universal Photonic Engine)技術,通過SoIC將電子集成電路(EIC)與光子集成電路(PIC)進行3D整合,從而把光電轉換由傳統電路板或外部模組,推進到封裝架構內,以滿足客戶對CPO方面的需求。

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