宅中地 - 每日更新
宅中地 - 每日更新

贊助商廣告

X

三星宣布2024下半年量產二代3納米及強化版4納米

2023年11月04日 首頁 » 熱門科技

三星宣布2024下半年量產二代3納米及強化版4納米


外媒報道,韓國三星告訴投資者,2024下半年將使用第二代3納米 (SF3) 製程,與性能增強版4納米 (SF4X) 生產晶片,兩個新製程將顯著提高三星競爭力,並爭取代工大客戶新產品。

由於行動需求反彈,加上高性能計算 (HPC) 市場持續增長,將反轉邁向增長,2024下半年將量產第二代3納米,以及HPC第四代4納米增強競爭力。

三星第二代3納米 (SF3) 製程是首代3納米 (SF3E) 重大升級,目前僅製造挖礦小型晶片,但三星說第二代3納米可同單元類型用不同環柵 (GAA) 電晶體納米片信道寬度,提供更多功能。

儘管三星沒有直接比較兩代3納米差異,但第二代比第二代4納米(4LPP)進步更多。相同功率和複雜性,執行性能提高22%,或相同時脈和電晶體數量,功耗降低34%;晶片面積減少21%。儘管第二代3納米2024下半年量產,但是比首代更好的複雜設計選擇。

三星宣布2024下半年量產二代3納米及強化版4納米


三星4納米不斷發展,準備推出強化版4納米 (SF4X),為數據中心高性能CPU和GPU定製化,是近年第一個專為高性能計算(HPC)設計的製程。

強化版4納米有望性能提高10%,功耗降低23%。三星也未透露比較基準,但很可能參考標準4納米製程流程,增強版重新設計電晶體源極和汲極區域、重新評估潛在高應力條件下性能、應用先進電晶體級設計技術協同優化 (T-DTCO)。

三星希望借完善MOL架構,使強化版4納米完成60mV的CPU矽驗證最低工作電壓 (Vmin),將斷態電流 (IDDQ) 變異性降低10%,確保穩定高電壓 (Vdd) 運行以上1V且不會影響性能,並提高SRAM製程度。

(首圖來源:三星)

宅中地 - Facebook 分享 宅中地 - Twitter 分享 宅中地 - Whatsapp 分享 宅中地 - Line 分享
相關內容
Copyright ©2025 | 服務條款 | DMCA | 聯絡我們
宅中地 - 每日更新