內存大廠美光日前宣布，其多重訪問雙列直插式內存模塊 （multiplexed rank dual inline memory module, MRDIMM） 開始送樣。MRDIMM讓美光客戶得以滿足要求日益嚴苛的工作負載，充分發揮運算基礎架構的最大價值。
美光科技表示，針對內存需求高達每DIMM插槽128GB以上的應用，美光MRDIMM的性能更勝目前的晶體矽穿孔型 (TSV) RDIMM，達到最高帶寬、最大容量、最低延遲，以及更高的每瓦性能，加速內存密集型如虛擬化多租戶、HPC和AI數據中心等的工作執行。當前開始送樣的內存是美光MRDIMM系列的第一代產品，可以與Intel Xeon 6處理器兼容。
MRDIMM技術採用DDR5的物理與電氣標準，帶來更先進的內存，每核心的帶寬與容量雙雙提升，為未來運算系統做好準備，更滿足數據中心工作負載日益增長的需求。相較於RDIMM，MRDIMM具有以下優勢，包括內存有效帶寬提升多達39%、總線效率提高15%以上、並且延遲降低高達40%。
另外，MRDIMM支持從32GB到256GB的容量範圍，提供標準尺寸和加高尺寸 （TFF） 兩種規格，適用於1U和2U高性能伺服器。而TFF模塊採用先進散熱設計，在相同功率和氣流條件下，DRAM溫度可降低20°C之多，進而提升數據中心的冷卻效率，並優化內存密集型工作負載的系統總能耗。
而美光領先業界的內存設計使用32Gb DRAM晶粒製程技術，只需花費16Gb晶粒製程128GB TFF MRDIMM的功耗即可享受256GB TFF MRDIMM的性能。在最高數據傳輸率下，256GB TFF MRDIMM的性能較同容量的TSV RDIMM提升35%。採用256GB TFF MRDIMM，數據中心可享受前所未有的整體擁有成本 （TCO） 優勢，大勝傳統TSV RDIMM。
美光副總裁暨運算產品業務群總經理Praveen Vaidyanathan表示，美光最新推出的創新主內存解決方案MRDIMM以更低的延遲提供業界迫切需要的高帶寬與大容量，有助在下一代伺服器平台上實現大規模AI推論和高性能計算 （HPC） 應用。英特爾副總裁暨Xeon 6數據中心產品管理總經理Matt Langman也表示，MRDIMM採用DDR5界面和技術，能與現有的Xeon 6 CPU平台無縫兼容，為客戶提供選擇彈性。MRDIMM為客戶帶來更高帶寬、更低延遲，以及多種容量選擇，適用於HPC、AI及其他大量工作負載，這些工作負載一樣都能繼續運行在支持標準DIMM的Xeon 6 CPU平台上。
美光MRDIMM現已上市，並將於2024年下半年開始大量出貨。
(首圖來源：美光提供)
