英特爾目標：在2030年前製造出擁有萬億個電晶體的晶片

隨著晶片封裝行業變得更加先進，英特爾的抱負也越來越高。該公司的目標是在2030年前製造出擁有萬億個電晶體的晶片。

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英特爾晶片的性能似乎即將大幅提升，英特爾首席執行官帕特·格列辛格證實，英特爾可能在2030年前實現晶片上1萬億個電晶體的神奇數字。

有幾種不同的技術可以幫助英特爾在晶片上實現萬億數量的目標。該公司的目標是進行先進的封裝和異質集成，將更多的電晶體封裝到一塊晶片中。

此外，該公司計劃使用三星用於3納米生產的RibbonFET工藝。它覆蓋了所有四個側面，從而減少了電流泄漏。還有另一種通過PowerVIA Power Delivery的方法，將電源線移動到晶片的後面，從而提高性能。