早在今年5月，三星就宣布開始向全球範圍內的主要客戶交付業界首批12層堆疊HBM4E樣品，進一步鞏固自身在下一代HBM市場的領導地位。三星希望通過先進的製造能力和搶先基礎設施投資，持續推動全球AI儲存器市場的增長。
據TECHPOWERUP報道，三星的HBM4E已通過了英偉達的測試，將用於下一代Rubin Ultra平台。對於三星來說在HBM領域又一次取得重大進展，特別是考慮到過去三星HBM3E曾長時間未能滿足英偉達的驗證要求，顯然經過努力後，HBM4和HBM4E情況要好很多。
三星的HBM4E速率為14Gbps，而且能繼續提高至16Gbps。其每堆棧最高可達3.6TB/s的頻寬，比起HBM4提高了20%以上，可以更好地助力LLM和下一代AI系統。12層堆疊HBM4E提供了48GB容量，比起上一代產品也提高了30%以上，計劃根據客戶的需求，未來三星還將提供32GB（8層堆疊）和64GB（16層堆疊）配置。
目前三星的HBM4是通過自家代工廠生產4nm基礎裸片（Base Die），傳聞下一代HBM4E情況有可能發生變化。隨著定製HBM時代來臨，三星打算採取雙軌並行策略，根據客戶的需求，提供自家代工廠和台積電製造的基礎裸片。
