在FMS 2026峰會上，三星發布了面向下一代AI基礎設施的儲存技術路線圖，並首次展出zHBM、zNAND-O概念模型及業界首款V10 BV-NAND快閃記憶體，全面展示了其在AI時代的儲存創新實力。
本次發布的核心亮點是全新zHBM架構。與傳統HBM並列布局不同，zHBM通過先進晶圓鍵合技術將高頻寬內存垂直堆疊於AI加速器上方，大幅縮短數據傳輸路徑。據三星介紹，該系統性能預計達HBM5的8倍，內存密度提升超10倍，能效提高3倍，熱阻降低逾50%，可顯著支撐大規模AI訓練與推理需求。同時，zHBM支持客戶定製IP集成，進一步拓展了AI晶片設計的靈活性。
針對邊緣AI場景，三星還推出了zNAND-O方案，目前還處於研發階段。該產品兼顧高空間效率、低延遲與優異I/O性能，專為支持實時數據密集型 AI 應用的邊緣計算環境而設計。
在NAND領域，三星正式揭曉V10 BV-NAND，這是繼2013年首創V-NAND後的又一里程碑。該產品採用全新鍵合V-NAND架構，層數突破400層，儲存密度較前代V9提升約58%，同時在讀取、寫入和I/O性能方面均實現顯著進步，為AI數據中心提供更高容量與效能的儲存基礎。
此外，三星還展出了完整的AI儲存產品矩陣，包括已啟動送樣的HBM4E、HBM5、業界首款集成存內計算（PIM）技術的LPDDR5X-PIM，以及PM1763等企業級SSD。其中，LPDDR5X-PIM可在內存內部直接處理數據，有效緩解「內存牆」瓶頸。從HBM到PIM再到企業儲存，三星正以全棧式3D儲存創新，驅動AI算力基礎設施邁向新階段。
