上個月，三星宣布量產HBM4
。其結合了4nm基礎裸片（Base Die），並搭配1cnm（第六代10nm級別）工藝製造DRAM晶片，從量產初期就實現了穩定的良品率和行業領先性能，無需額外重新設計，確保了三星在早期HBM4市場的領導地位。在經歷了HBM3和HBM3E開發和量產瓶頸後，三星終於在HBM4看到了趕上領頭羊SK海力士的希望。同時三星並沒有放慢速度，已經開始在下一代HBM4E上發力。
據Business Korea報道，4nm基礎裸片搭配1cnm DRAM晶片讓三星嘗到了甜頭，使其遠遠領先於SK海力士用台積電5/12nm基礎裸片搭配1bnm DRAM晶片的組合。三星計劃在HBM4E採用2nm工藝製造基礎裸片，提高能效、散熱管理和面積利用率，進一步擴大競爭優勢。
目前行業其他主要參與者逐漸把重點放在了定製型HBM4E上，將其視為下一個競爭焦點。台積電打算採用3nm工藝製造下一代基礎裸片，而三星主動將基礎裸片提升至2nm工藝，以保持領先。隨著定製HBM時代的到來，三星在HBM領域的競爭優勢似乎變得更加明顯。
三星自身擁有代工廠，比起要尋求台積電幫助的SK海力士和美光，預計會從內部生產中獲得潛在的成本優勢，而且產能分配上也更為靈活。正是由於基礎裸片轉換到代工廠將對HBM產品帶來成本壓力，美光推遲到HBM4E才轉成台積電，目前在HBM4已經遇到一些困難。
