過去幾個月裡，不少晶片設計公司都在探索多元化晶片供應鏈的方案，將目光投向了英特爾的EMIB封裝。考慮到越來越多的客戶有意選擇英特爾的代工服務，SK海力士也計劃與英特爾展開合作，讓EMIB封裝可用於HBM，以滿足未來客戶的需求。
據Wccftech報道，近日SK海力士闡述了如何利用先進封裝技術，加速其HBM路線圖，不但引入EMIB封裝，也將3D集成作為目標。
目前HBM通過TSV（矽通孔）將多個DRAM晶片連接到一個基礎裸片（Base Die），最多可以做到16層堆疊。HBM與計算模組（XPU：包括GPU和TPU等）都是獨立的，通過2.5D封裝安裝在同一個中介層。每個HBM模組還包含1024位I/O接口，共16個通道，通過PHY（物理接口層）將HBM與計算模組相連。接下來的HBM4會將I/O接口擴展到2048位，這是2015年HBM記憶體技術推出後的最大變化。
現在主要有兩種HBM封裝技術，包括：一個是熱壓鍵合+非導電膜（TC+NCF）；另外一個是整體回流+模塑底部填充（MR+MUF）。TC+NCF能更好地應對晶片翹曲問題，但是熱阻更高，而且生產率較低。MR+MUF生產率更高，熱阻也更低，但是更容易出現晶片翹曲，並在間隙填充方面存在缺陷。
未來SK海力士打算通過混合鍵合技術，在未來的晶片堆疊中消除凸塊，減少間距。同時SK海力士正在打造名為「I-HBM」的局部散熱技術，類似於三星的HPB，以優化傳熱路徑，更有效地分散熱量。另外SK海力士還準備了各種解決方案，積極應對未來HBM技術的疊代。
在SK海力士展示的2.5D HBM解決方案里，除了大家熟悉的CoWoS-L、CoWoS-R和CoWoS-S，已經加入了英特爾的EMIB封裝技術。有傳言稱，SK海力士與英特爾可能展開進一步合作，在儲存領域組建合資公司。與三星一樣，SK海力士也將採用3D垂直堆疊，將HBM放置於計算模組之上。
