索尼Xperia 1 V將於5月11日發布，根據香港的廣告，它將配備一種全新的圖像傳感器。令人耳目一新的是，我們不僅僅是在談論更高的百萬像素計數，或者稍微大一點的傳感器尺寸，而是一個全新的CMOS傳感器架構。
由索尼開發的新型「雙層」傳感器技術最初於2021年底推出，但Xperia 1 V看起來將是這種類型傳感器的第一個商業實現。
這種新型傳感器設計的關鍵區別在於，據說它將每個感光點(「像素」)的電晶體元件與光敏光電二極體元件分開，將這兩個元件放置在單獨的堆疊層上——電晶體在光電二極體下方移動。與傳統的CMOS傳感器相比，這兩個元件在同一層上彼此相鄰，電晶體消耗大約一半的表面積。
因此，理論表明，能夠利用整個傳感器區域的聚光光電二極體可以加倍傳感器的光靈敏度，從而增加動態範圍和減少圖像噪聲在高靈敏度。索尼自己表示，2層CMOS結構大約「將飽和信號水平提高了一倍」。
這種雙層設計雖然在命名上與現有的堆疊CMOS傳感器技術相似，但卻非常不同。堆疊式CMOS傳感器使用與傳統CMOS傳感器相同的光電二極體層，但在傳感器結構中添加了一層DRAM以加快圖像讀取速度。一個主要的好處是更快的圖像處理和連拍幀速率。
雖然這似乎是提高傳感器性能的一個顯而易見的解決方案，但大規模生產雙層傳感器顯然非常困難，因此為什麼我們只是看到這項技術進入消費市場。據說，將光電二極體堆疊在電晶體上需要極高的對準精度，而且鍵合溫度遠高於普通CMOS傳感器的結構。
光敏傳感器面積的物理加倍是否會轉化為可測量圖像質量的2倍增長還有待觀察，如果這是真的，我們最終會得到一個與今天的中畫幅傳感器相匹配的全畫幅傳感器的圖像質量。你可能也想知道為什麼索尼將這種可能改變遊戲規則的傳感器技術應用於手機，而不是像a9 III或a1 II這樣的潛在新旗艦相機。如果我們推測一下，考慮到生產雙層傳感器所面臨的技術挑戰，目前的製造工藝可能只是能夠生產物理上較小的傳感器晶片。將該技術擴展到全畫幅傳感器尺寸可能需要更多的時間。
