三星和SK海力士推動其中國大陸NAND快閃記憶體工廠升級：與長江儲存競爭加劇

在人工智慧（AI）熱潮推動的儲存器需求激增的大背景下，三星和SK海力士不斷擴大生產投資，這一舉動不只是限於韓國國內，也包括中國大陸地區，而且正在加速，包括DRAM和NAND快閃記憶體製造廠的生產線擴建，以及技術與設備的大規模升級。不過受制於美國政府的設備管制措施，使得這些項目推進起來都斷斷續續，並不是那麼輕鬆的事情。

據TrendForce報道，最近三星和SK海力士在中國大陸的NAND快閃記憶體製造廠都到了升級的關鍵時期。其中三星計劃將其西安工廠生產線從128層第6代V-NAND快閃記憶體升到236層第8代V-NAND快閃記憶體，SK海力士則將其大連工廠生產線從192層NAND快閃記憶體提升至238層NAND快閃記憶體，而且尋求進一步提升到生產300層以上NAND快閃記憶體，不過這需要獲得美國政府的批准。

三星和SK海力士如果迫切希望升級，很大程度是來自長江儲存（YMTC）帶來的競爭壓力。目前長江儲存主要以生產160層和232層NAND快閃記憶體為主，少量生產294層NAND快閃記憶體，並計劃提高至300層以上。

不過三星和SK海力士最大障礙仍然是美國政府的設備管制措施，每年都需要獲得許可，才能在其中國大陸地區的工廠安裝美國供應商的設備。目前三星和SK海力士正在與美國政府進行協調，希望能夠更接近於韓國本土工廠的生產標準。