雖然，2023年內存市場低迷。不過，SK海力士卻把握住了服務器市場更換DDR5內存及生成式人工智慧 （AI） 爆發的機會，憑藉針對性的產品線和市場策略，拿下了不少市場占有率。而且，在成為英偉達高帶寬內存的合作夥伴之後，SK海力士延續了HBM市場的領導地位，甚至出現了「贏家通吃」的局面。
近日，SK海力士在介紹2024年存儲產品線的時候，已確認2024年將啟動下一代HBM4的開發工作，為數據中心和人工智慧產品提供動力。其實，在2023年在第四季，包括三星和美光就已先後確認正在開發HBM4，預計分別在2025年和2026年正式推出。
HBM已經經過5個時代的發展，其中在HBM3E是HBM3的擴展版本，而HBM4將是第6代產品。SK海力士表示，HBM3E會在2024年進入大量生產，而啟動HBM4的開發工作代表著HBM產品的持續發展邁出了重要的一步。
先前有報道指出，下一代HBM4設計會有重大的變化，內存堆棧將採用2048位元接口。事實上，自2015年以來，每個HBM堆棧都是採用1024位元接口。因此，將位元帶寬翻倍是HBM內存技術推出後最大的變化。如果HBM4能保持現有的接腳速度，代表著帶寬將從現在HBM3E的1.15TB/s，提升到2.3TB/s的水準，提升會相當明顯。
另外，預計HBM4在堆棧的層數上也有所變化，除了首批的12層垂直堆棧之外，2027年還將有16層垂直堆棧的產品。同時HBM還會往更為定製化的方向發展，不僅將安裝在SoC主晶片旁邊，部分還會轉向堆棧在主晶片之上，為其提供帶來更大的效益。
（首圖來源：SK Hynix提供）
