英特爾 (Intel) 上周宣布，投資185億美元的愛爾蘭Fab 34晶片廠以EUV微影曝光設備量產，是英特爾晶片製造的重要里程碑。
英特爾技術開發總經理Ann Kelleher表示，年底先導入下一代高數值孔徑（High-NA）EUV微影曝光設備，High-NA高數值孔徑EUV微影曝光設備將用在Intel 18A節點開發和驗證，之後的節點量產。
英特爾強調，有了High-NA EUV微影曝光設備，理論上可實現「四年五節點製程」目標。Ann Kelleher說英特爾正按計劃進行，已完成兩個節點製程，也就是Intel 7及Intel 4，第三個節點Intel 3很快就會開始，最後Intel 20A及Intel 18A節點都有非常好進展。
微影曝光矽統大廠艾司摩爾 (ASML) 首席執行官Peter Wennink 9月接受媒體採訪時透露，儘管供應商有些問題，但ASML仍會照計劃，年底交貨High NA EUV微影曝光設備。一套High-NA EUV微影曝光設備體積和卡車相當，每台超過1.5億歐元，滿足各類半導體製造商需求，十年內可製造更小更先進的晶片。
Ann Kelleher又指英特爾預定稍晚俄勒岡州收到首批High-NA EUV微影曝光設備，是首個取得這款設備的晶片商。最先進晶片是台積電與三星量產3納米製程。進入後3納米時代，ASML及夥伴正在開發全新High NA EUV微影曝光設備，有0.55 NA的高數值孔徑透鏡，減少3納米以上節點工序，降低成本，有更好良率。
(首圖來源：影片截屏)
