鎧俠（Kioxia）和閃迪（SanDisk）宣布，推出第九代BiCS FLASH 2Tb QLC快閃記憶體技術，旨在支持由AI驅動的基礎設施日益增長的儲存需求。其展示了架構創新如何幫助儲存滿足AI驅動工作負載所需的高速發展，同時支持更高效的製造方式。
第九代BiCS FLASH 2Tb QLC快閃記憶體採用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術，將CMOS邏輯電路與儲存陣列分別做在獨立的晶圓上，然後通過高精度晶圓對位工藝進行鍵合，實現了4.8 Gb/s的NAND接口速度，相比第八代提升33%，並實現了更快速部署的先進儲存解決方案，應用於雲端及數據密集型應用。與之前的第八代BiCS FLASH 2Tb QLC快閃記憶體相比，新技術通過六平面架構和性能提升，提供了更高的讀寫頻寬，同時功耗表現也會更好。
鎧俠表示，引入基於第九代BiCS FLASH的新一代高性能QLC 3D快閃記憶體技術是其產品路線圖上的重要里程碑，凸顯了與閃迪合作的持續實力。通過最大化CBA技術的靈活性，正在創造NAND快閃記憶體創新的新機遇，幫助客戶應對AI時代日益增長的儲存需求。
目前鎧俠同時推進兩條截然不同的產品路線：第九代BiCS FLASH快閃記憶體解決方案以相對低的投資成本來提供高性能表現；第十代BiCS FLASH快閃記憶體解決方案則利用先進的層疊技術，實現超大容量和卓越性能。
