據美國銀行最新分析報告，韓國總統李在明高調宣布的「2030年產能翻倍」目標面臨著嚴峻的現實考驗。
6月底，李在明宣布了一項規模高達800兆韓元的大型投資計劃，要在韓國西南沿海的光州、全羅地帶打造「儲存新聚落」，目標是在2030年讓三星與SK海力士的DRAM晶圓產能翻倍。
三星與SK海力士合計掌握全球過半DRAM市占率，在HBM領域更超過八成，美光7月初也宣布斥資93億美元在日本擴產HBM，預計兩年後出貨。
消息一出，市場擔憂供過於求導致價格崩跌，全球儲存類股應聲暴跌，美光單周下跌15%，鎧俠跌去一成，閃迪市值蒸發近兩成。
然而美國銀行在最新報告中指出，要評估韓國儲存晶片供給能否實質增加仍為時過早，2030年產能翻倍聽起來驚人，但拉長時間軸來看僅代表每年約15%的年複合增長率。
扣除舊廠因技術升級關閉以及製程微縮導致的產能減損後，實際運轉的晶圓產能擴張率每年將低於10%，到2030年的增長遠不及翻倍水平。
供應鏈更傳出，SK海力士2028年實際新增的產能可能只有最初規劃的六分之一。
另一方面還有物理限制，一位台灣儲存晶片業者指出，光州和全羅目前的產業結構是石化與鋼鐵園區，基礎設施從零開始布建，光打底就要五年左右，後續潔淨室和機台安裝還需三到四年，整個製造生態鏈建起來恐怕超過十年。
有資深產業分析師直言，該計劃在李在明任期屆滿前難以完成，目前宣示意義大於實質。
