DRAM+內存將商業化：採用FeRAM技術，提供DRAM性能和類似SSD的存儲功能

Ferroelectric Memory Co. (FMC) 和Neumonda宣布達成戰略合作，建立合資企業，聯手在德國德勒斯登建造DRAM生產線，將「DRAM 」內存商業化。這是自2009年英飛凌和奇夢達在德國的DRAM工廠關閉後，歐洲地區首次重啟存儲晶片的生產。

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據TomsHardware報道，雙方新的合資企業將專注於DRAM 內存，採用FeRAM技術，這是一種將DRAM速度與非易失性數據存儲相結合的架構。其採用了鉿氧化物（HfO₂）作為鐵電層，代替了傳統材料，在提供高性能、保持納秒級訪問時間的同時，可以在沒有電力的情況下進行持久存儲。

過去的FeRAM內存不能很好地縮小工藝節點，與標準CMOS工藝集成是非常困難的，且成本很高。過去使用鋯鈦酸鉛（PZT）的FeRAM內存具有很大局限性，新方法解決了以往無法擴展到兆字節以上容量的限制，從最多4/8MB提升至Gb-GB級別。現在DRAM 內存能與現有的半導體製造工藝集成，從而實現更高的密度和性能，更接近於常見的DRAM。

FMC與Neumonda已經展示了原型設計，希望共同推進一種新的存儲產品，為歐洲半導體產能的更廣泛復甦奠定基礎，並為高級存儲器設計和測試重建一個本地的生態系統。