今年初，鎧俠（Kioxia）和閃迪（Sandisk）合作，在ISSCC 2025上公布了其第十代BiCS FLASH閃存技術。與上一代產品相比，新款3D NAND閃存的性能提高了33%，位密度、接口速率和功率效率也有所提高。
據TrendForce報道，雖然主要NAND閃存製造商仍然對產能擴張持謹慎態度，但是鎧俠正在採取新的戰略舉措，計劃於2026年下半年開始大規模生產BiCS10 FLASH 3D NAND閃存，旨在滿足人工智慧（AI）數據中心不斷增長的需求。
數月前，鎧俠位於日本岩手縣北上市的新建半導體生產設施Fab 2（K2）已開始運營。傳聞鎧俠並不會另外為BiCS10 FLASH 3D NAND閃存新建生產線，而是選擇對這間工廠的生產線進行改造，以滿足生產要求。
從第八代BiCS FLASH閃存技術上開始，鎧俠便引入了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術，將每個CMOS晶圓和單元陣列晶圓單獨製造後粘合在一起。第九代BiCS FLASH閃存技術則是利用CBA技術降低生產成本，同時實現高性能，其中整合了現有的存儲單元技術與最新CMOS技術。
到了第十代BiCS FLASH閃存技術，鎧俠將增加存儲層的數量，從第八代BiCS FLASH閃存技術的218層增至332層，總層數增加了38%；優化平面布局後，位密度提升了59%，進一步增強了存儲密度；採用了Toggle DDR6.0接口標準和SCA協議，將NAND I/O接口速度從3.6Gbps提升至4.8Gbps；引入PI-LTT技術，從而降低了功耗，其中數據輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%。
有業內人士表示，由於鎧俠和閃迪缺乏DRAM業務，所以不會像三星、SK海力士和美光那樣保守，策略上更為進取，希望趁著這次「存儲晶片超級周期」進一步提升自身的市場地位。
