據Wccftech報道，近日英特爾展示了針對高性能計算（HPC）和人工智慧（AI）應用場景準備的先進封裝技術最新成果，從尖端互連到系統級封裝和測試，提供了驅動下一代多晶片平台所需的規模和集成度，同時向台積電（TSMC）的CoWoS封裝生態發起挑戰。
英特爾介紹了其最新的Multi-chiplet封裝架構，與Intel 18A及Intel 14A工藝深度融合，構建出面積超過傳統光罩極限的超大晶片。展示的核心在於英特爾對「超越光罩極限」的系統性突破，光罩極限（Reticle Limit）也就是晶片製造中光刻機單次曝光的最大面積，突破這個極限（比如 >12x），意味著通過拼接技術，製造出比傳統單顆晶片大得多的巨型晶片。
打造下一代計算晶片，英特爾所用到的主要技術包括：
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Intel 14A-E - 採用RibbonFET 2與PowerDirect技術的突破性邏輯架構
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Intel 18A-PT - 首款支持背面供電的基礎裸片，提升邏輯密度與供電可靠性
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High-Performance Top Die - 基於Intel 14A及14A-E工藝，實現更高密度與更高能效比。
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Foveros Direct 3D - 採用超精細間距混合鍵合技術的精密3D堆疊。
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EMIB-T - 在EMIB加入TSV技術，實現更高帶寬與更大的晶片封裝尺寸。
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HBM協議支持 - 無縫兼容最新及未來HBM標準，包括HBM4和HBM5等。
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>12x光罩可擴展性 - 突破傳統光罩限制的架構設計。
在具體解決方案上，英特爾展示了兩種概念架構設計：一種是提供了4個計算模塊搭配12個HBM模塊的組合；另外一種更為激進，以16個計算模塊搭配24個HBM模塊。英特爾採用Intel 18A-PT製造基礎裸片，可以集成海量SRAM緩存，在此之上採用Intel 14A或Intel 14A-E製造計算模塊或者AI引擎，然後兩者通過Foveros Direct 3D技術進行垂直互連。
