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三星展示BM9K1 PCIe 5.0 QLC SSD:採用RISC-V架構自研主控晶片

2026年03月30日 首頁 » 熱門科技

近日在深圳舉行的2026中國閃存市場峰會(CFMS 2026)上,三星全面展示了其面向下一代AI基礎設施、端側AI、以及移動端的全方位創新存儲解決方案。面對物理AI時代激增的數據需求,三星圍繞「高性能、高密度、散熱管控與安全性」四大支柱,構建了面向未來的下一代AI伺服器存儲技術路線圖。

三星展示BM9K1 PCIe 5.0 QLC SSD:採用RISC-V架構自研主控晶片

這次三星重點展示了其面向PC和移動端的全系列AI存儲方案,其中包括了BM9K1 PCIe 5.0 QLC SSD,定位於「個人AI計算」工作負載。其搭載了QLC NAND閃存顆粒,同時還採用了基於開源RISC-V架構的主控晶片,最大順序讀取速度為11.4 GB/s,提供了512GB、1TB和2TB三種容量可選,適用於台式機和筆記本電腦。

BM9K1  PCIe 5.0 QLC SSD最特別的是主控晶片,沒有繼續使用Arm架構,而是改用了RISC-V架構。三星表示,新款主控晶片針對QLC  NAND閃存管理和特定AI專用I/O模式進行了優化,能夠實現更為精細的操作,能效比相比之前BM9C1提高了23%。

另外三星還確認,今年將正式推出採用縱向與橫向擴展架構控制器的PCIe 6.0 SSD——PM1763。其在嚴格的25W功耗限制下實現了接口性能的最大化,相較於上一代產品,I/O性能實現了高達2倍的跨越式提升,同時能效提升了1.6倍。

面對數據密集型AI工作負載的急劇增長,三星打算基於32DP   NAND超密集封裝技術,在E3.L形態下,實現256TB乃至512TB的超大單盤容量,從而成倍提升單機架的總容量與帶寬,最大化提升空間運營效率。另外還會有專為液冷優化外形,將E1.S  8TB SSD厚度由15mm縮減至9.5mm,大幅降低了接觸熱阻。

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