鈣鈦礦發光器件（PeLED）憑藉高發光效率、高色純度優勢，被業界視作繼 OLED 之後的下一代顯示核心材料，尤其適配 AR、VR 近眼設備對微型、高亮像素的嚴苛需求。近期，首爾大學聯合劍橋大學團隊完成關鍵技術突破，依託改良真空蒸鍍工藝，將真空製備 PeLED 外量子效率推至 21.9%，創下同工藝領域新高，為高解析度 XR 顯示落地掃清關鍵工藝障礙。
當下實驗室高效鈣鈦礦器件多採用溶液塗布方案，該工藝在量產層面存在明顯短板：微小像素精細化加工難度大，大面積基板難以形成均勻發光層，很難匹配 AR 眼鏡高密度微型像素的生產需求。為此，研究團隊對標成熟 OLED 產線通用的真空蒸鍍路線，設計全新有機導向分子，精準調控鈣鈦礦晶體生長取向，抑制無序結晶缺陷，同時實現基板全域晶體均勻成膜，避免材料局部堆積。
性能測試數據顯示，新工藝製備器件外量子效率達到 21.9%，該指標直接反映電能轉化為有效出光的綜合能力，是真空蒸鍍 PeLED 現有最優水準。在穩定性層面，器件初始亮度衰減至一半的時長突破 1500 分鐘，耐久表現實現大幅提升。不過團隊也坦言，距離 AR 終端商用標準仍有差距，產品壽命還需提升至數千乃至數萬小時級別。
研究人員完成多項落地可行性驗證：在 7×7 厘米基板上實現精細圖案化製備，同時在柔性基底成功製作發光器件，充分印證該技術可從實驗室小型樣品，拓展至大面積、可彎曲顯示面板量產。
此次真空蒸鍍 PeLED 技術打通與現有 OLED 產線兼容的工藝路徑，解決溶液法適配微型像素的痛點。若後續壽命短板持續優化，未來有望打造強光下可視、文字細節銳利的超高清 XR 顯示螢幕，加速新一代 AR、VR 設備疊代進程。
