鎧俠（Kioxia）和閃迪（SanDisk）宣布，共同發布新一代QLC 3D快閃記憶體技術。其採用332層架構和優化布局設計，相較於第八代產品，新技術的位密度提升幅度高達60%，超過37 Gb/mm²，在位密度、性能和能效方面樹立了新的行業標杆。
新一代QLC 3D快閃記憶體技術採用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術，將CMOS輯電路與儲存陣列分別做在獨立的晶圓上，然後通過高精度晶圓對位工藝進行鍵合，以提供增強的位密度和快速的NAND I/O接口速度。鎧俠和閃迪還採用了Toggle DDR6.0接口標準和SCA協議，讓其成為了業界首個NAND I/O接口速率達到4.8Gbps的QLC 3D快閃記憶體技術。
另外還引入了PI-LTT技術，從而降低了功耗，提高了I/O數據輸出傳輸能效。隨著人工智慧（AI）技術的普及，預計產生的數據量將大幅增加，因此現代數據中心對提高能效的需求也在增加。
官方已經確認，這次的新技術也是基於第十代BiCS FLASH快閃記憶體技術。上個月採用相同技術的TLC快閃記憶體的樣品已開始出貨，總層數也是332層，不過位密度為29 Gb/mm²，顯然QLC快閃記憶體在儲存密度方面有著更大的優勢。
目前鎧俠同時推進兩條截然不同的產品路線：第九代BiCS FLASH快閃記憶體解決方案以相對低的投資成本來提供高性能表現；第十代BiCS FLASH快閃記憶體解決方案則利用先進的層疊技術，實現超大容量和卓越性能。
