6月11日，韓國電子通信研究院（ETRI）公開一項下一代顯示技術重大突破，成功研發出2500PPI超高密度LEDoS（矽基Micro-LED）顯示方案，搭配自研超精密雷射鍵合工藝，可廣泛應用於XR、AI智能終端等高端設備，為近眼顯示產業升級提供全新技術路徑。
據介紹，該技術可將約92萬顆微型LED晶片精準鍵合至矽基CMOS電路，實現超高像素密度、高亮度與低功耗顯示效果，像素密集度表現甚至優於AI半導體主流的HBM4方案。
為解決傳統工藝易出現的基板翹曲、對位偏差、微粒污染等量產難題，ETRI採用SITRAB新型材料，實現室溫雷射鍵合作業，有效規避熱膨脹引發的形變誤差，大幅提升工藝穩定性與良品率。
該項技術成果已於今年5月正式刊發於《Microsystems & Nanoengineering》期刊，核心SITRAB材料技術已完成本土企業技術轉讓，配套工藝設備正在韓國半導體量產產線中開展驗證。此前，該技術還亮相SID Display Week 2026行業盛會，並斬獲Micro-LED領域大眾選擇獎，獲得業內高度認可。
ETRI表示，團隊後續將持續疊代技術，攻堅全彩RGB顯示、超低功耗驅動及大面積製程等核心難題，並聯動本土材料、設備與封裝企業深化合作，加速推動新一代LEDoS顯示與先進封裝技術落地商用，賦能高端XR智能硬體產業發展。
