三星去年引入了首台High-NA EUV光刻機，安裝在華城園區，成為了英特爾（2023年末）和台積電（2024年第三季度）之後，第三家安裝High-NA EUV光刻機的半導體製造商。今年三星又新裝了第二台High-NA EUV光刻機，現階段更多地停留在技術研發和試用階段，還沒有用於大規模生產的打算。按照原計劃，三星打算在下一代1.4nm製程節點和DRAM晶片生產中引入High-NA EUV技術。
據TrendForce報道，目前三星基於2nm的SF2工藝在生產方面已逐步走上正軌，計劃2029年開始量產初代1.4nm工藝，也就是SF1.4，隨後在2030年推出經過改進的SF1.4+，同時還有1nm工藝。有所不同的是，三星推遲引入High-NA EUV技術，延後至2030年的1nm才加入。
三星代工相關業務負責人表示，對於SF2和SF1.4來說，High-NA EUV技術仍不算成熟，不過到了1nm製程節點會是剛需，預計會成為主流，因此三星正以此為目標與合作夥伴一起推動開發工作。
High-NA EUV光刻機是具有高數值孔徑和每小時生產超過200片晶圓的極紫外光大批量生產系統，用於製造3nm以下的晶片。其提供了0.55數值孔徑，與此前配備0.33數值孔徑透鏡的EUV系統相比，精度會有所提高，可以實現更高解析度的圖案化，以實現更小的電晶體特徵。
