去年4月，JEDEC固態技術協會發布了高帶寬內存（HBM）DRAM新標準：HBM4
。其中JEDEC固態技術協會放寬了HBM4在高度方面的要求，從過去HBM3E的720微米放寬至775微米，以便存儲器製造商可以在現有的鍵合技術中實現16層堆疊，無需轉向新的混合鍵合技術。
據TrendForce報道，隨著HBM的疊代及性能要求的提升，JEDEC固態技術協會考慮再次放寬HBM的高度限制，可能提高至900微米。這是為了緩解存儲器製造商的生產瓶頸，支持下一代HBM產品更快地進入大規模生產，不但能降低成本，也提升了良品率。
目前無論是三星的TC NCF技術還是SK海力士的MR-RUF技術，都是使用凸塊實現層與層之間的連接。要實現更多層數的堆疊，厚度必然會繼續增加，現有的技術在原限定高度下很難實現這樣的操作。混合鍵合技術不需要凸塊，通過板載晶片和晶圓直接鍵合，讓層與層之間更加緊密，以減少封裝厚度。不過混合鍵合技術尚未完全成熟，而且相比現有的鍵合技術過於昂貴。
如果將HBM的高度要求放寬，那麼利用現有技術就能支持更多層數。不過業界普遍認為，最終存儲器廠商都不可避免地引入混合鍵合技術，這對於20層或以上的堆疊至關重要。JEDEC固態技術協會改變HBM的高度限制要求，一方面為混合鍵合技術爭取到了更多的開發時間，另一方面也是為了加快下一代HBM的商業化進程。
