據The Information報道，全球最大晶圓代工廠台積電（TSMC）正在考慮進軍先進DRAM市場，啟動3D DRAM
的生產。雖然三星、SK海力士和美光三大原廠都在積極擴張產能，但是市場仍然存在較大的供需缺口。台積電有這方面的考慮，主要還是來自於最大客戶英偉達的請求。
前一代時間，美光宣布終止4F²單元結構的DRAM開發，選擇繼續擴展6F²單元結構，同時將3D DRAM作為長期替代方案。三星和SK海力士作為DRAM領域位列前二的領導廠商，過去幾年裡，也在加快3D DRAM商業化進程。
不同於CPU，儲存晶片需要依靠電容器儲存數據，可是隨著製程節點不斷縮小，儲存數據的複雜度增加，因為電容器必須達到一定尺寸才能工作。一直以來，DRAM開發的重點是通過減小電路線寬來提高密度，但隨著線寬進入10nm範圍，電容器漏電和干擾等物理限制明顯增加，為此廠商轉向3D DRAM，來克服物理的極限。
3D DRAM設計的重點是解決縮放和多層堆疊的難題，另外還有電容器和電晶體縮小，以及單元間連接和通孔陣列，廠商需要制定相應的工藝來滿足生產的要求。目前三星和SK海力士各自押注不同的技術路線來製造下一代DRAM晶片，前者考慮到了GAAFET全環繞柵極電晶體工藝，後者則是嘗試4F²單元結構。
暫時還不清楚台積電在3D DRAM上選擇的技術來源和路線，以及具體的執行時間表。有消息稱，台積電考慮建造專門生產DRAM的晶圓廠，不過這可能需要多年時間，為此收購一座已建成的設施也成為了選項，畢竟能大大縮短產品上市的時間。
