今年8月，英偉達宣布推出NVHBM。這是一種定製HBM，進一步擴展了NVLink Fusion生態系統，為XPU帶來更高的內存性能和效率。其中採用了定製的基礎裸片（Base Die），相比於標準的HBM4E，不但可以提供更高的頻寬，而且功耗更低，晶片面積也更小。傳統的HBM架構將內存控制器放置在XPU晶片上，消耗了本可用於計算的寶貴空間。NVHBM則基於英偉達未來GPU採用的相同技術，將定製的內存控制器集成到HBM基礎裸片中。
據TrendForce報道，作為HBM領域的主要客戶，英偉達的決定影響著儲存晶片製造商的選擇。在此大背景下，三星和美光的行動表明，圍繞NVHBM的設計將逐步超越自家的基礎裸片，從而重塑了整個市場格局。
美光已經確定，與英偉達聯合設計的NVHBM還有符合JEDEC標準HBM4E，都將選擇外部代工廠製造基礎裸片，簡單來說就是台積電（TSMC）。三星也向前邁出了一大步，打算在定製HBM採取雙軌並行策略，客戶可選自家代工廠或台積電製造的基礎裸片。
美光在HBM4上，選擇了1β（1-beta）工藝製造DRAM晶片，到了HBM4E，將改用更為先進的1γ（1-gamma）工藝，大致與三星及SK海力士的1cnm（第六代10nm級別）工藝處於同一水平。
另外NVHBM也讓SK海力士與英偉達及台積電的關係變得更為緊密，不但合作開發定製HBM，同時SK海力士打算升級基礎裸片，從HBM4的12nm提升至3nm工藝。考慮到更多客戶要求定製HBM擁有更多專屬功能，預計SK海力士與台積電關係將變得更為密切。
