SK海力士宣布，於當地時間27日在美國印第安納州西拉斐特（West Lafayette）的普渡大學霍洛威體育館（Holloway Gymnasium）舉行了面向AI的儲存器先進封裝生產基地奠基儀式，包括首席執行官郭魯正等高管也一同參加。
SK海力士投資了超過40億美元在西拉斐特建造先進封裝生產基地，預計2028年10月完成無塵室建設，並於2029年下半年啟動生產，面向HBM產品。未來SK海力士會將韓國生產的先進晶圓運至印第安納，經過先進封裝和測試後，將HBM產品直接供應給美國客戶。隨著生產全面步入正軌，該基地有望發展成為擁有1000餘名員工的美國核心生產基地。
SK海力士還將與生產線同步構建「先進封裝研發測試床 （Testbed）」，以便與客戶、大學及商業合作夥伴共同開發下一代封裝技術，並能夠快速推進原型試製與性能驗證。目前有超過100家涵蓋材料、零部件及設備等領域的合作夥伴正就進駐西拉斐特事宜進行洽談，為先進封裝生產基地的穩定運營提供有力支撐，並進一步夯實當地半導體生態系統。
這次SK海力士還與普渡大學簽署了先進封裝領域研發合作的諒解備忘錄（MOU），雙方將加強研發合作，共同研究包括HBM在內的下一代系統集成及先進封裝技術。另外SK海力士打算擴大與美國中西部地區主要高校及研究機構的合作，致力於培養和引進全球頂尖人才。
