據TomsHardware報道，三星在最近的ISSCC 2025上展示了即將發布第10代V-NAND閃存，不僅擁有創紀錄的有源層數和突破性的性能，而且還首次將COP（Cell-on-Periphery）結構和混合鍵合技術結合。
三星展示的第10代V-NAND屬於1Tb的TLC閃存，總層數超過了400層，預計達到420層至430層，接口速度達5.6Gbps，大約是700 MB/s。同時位密度超過了28 Gb/mm²，僅略低於自家的1Tb 3D QLC V-NAND閃存，後者的密度為28.5 Gb/mm²，是目前世界上密度最高的非易失性存儲器。位密度很可能不是三星這款新產品的主要目標，關鍵在於創紀錄的有源層數，另外就是COP結構和混合鍵合技術的結合。
三星在之前的NAND閃存里採用了COP結構，將外圍電路放在一塊晶圓上，然後單元堆疊在上面，不過當層數超過400層時，下層外圍電路的壓力會影響可靠性。傳聞三星將採用長江存儲的專利混合鍵合技術，消除了對凸塊的需求，縮短了電路，從而提高了性能和散熱性。
目前的NAND晶片通常每個封裝里包含8個或16個模塊，也就是說單NAND晶片裝入16個模塊就能提供2TB容量，四個NAND晶片提供8TB容量，雙面M.2 2280 SSD就能翻倍至16TB。不過三星近年來都沒有發布雙面SSD，主要問題在於這樣的設計與絕大部分筆記本電腦不兼容。按照第10代V-NAND閃存的接口速度，意味著大概10個模塊就能夠讓PCIe 4.0 x4接口的速度飽和，20個就能滿足PCIe 5.0 x4接口的速度，普通單面SSD的速度就達到了PCIe 6.0 x4接口的一半。
毫無疑問，第10代V-NAND閃存的帶寬和容量將在三星下一代存儲設備中發揮關鍵作用。
