據報道，三星、SK海力士和美光6月25日在美國加利福尼亞聯邦法院被提起集體訴訟，被控合謀操縱DRAM價格，製造了所謂的「記憶體末日」。
原告約翰·特里諾代表近年來購買含傳統DRAM產品的消費者和企業提起訴訟，指控三家公司利用在全球DRAM市場的主導地位，以向HBM轉型為藉口，協同削減DDR3和DDR4等傳統記憶體的產量，人為製造供應短缺。
訴訟的核心邏輯在於HBM對傳統DRAM產能的擠壓效應，HBM記憶體晶片在物理尺寸上遠大於標準DDR晶片，單顆HBM3E DRAM晶片的面積約為DDR晶片的兩倍，這意味著每生產一顆HBM晶片就要消耗兩倍的晶圓面積。
2026年HBM預計將占全球DRAM晶圓產能的約25%，而HBM需求正以每年約70%的速度增長。儘管全球DRAM晶圓總產能2026年預計增長14%，但分配給傳統DRAM的產能僅增長10%，這一剪刀差直接導致了消費級記憶體的供應缺口。
訴訟認為，三巨頭本可以同步擴產傳統DRAM來填補缺口，卻選擇將產能集中轉向利潤更高的HBM，形成事實上的協同減產。
這一協調行動的直接後果是DRAM價格在過去四年中上漲約700%，蘋果近期全面上調iPad和Mac售價就是價格傳導的典型案例，也被訴訟列為觸發事件。
訴訟還援引了三家公司此前的不光彩記錄，2005年，三星就DRAM價格操縱指控向美國司法部認罪，被處以3億美元刑事罰款，這是美國反壟斷史上第二大罰款。
同年SK海力士也認罪並被罰1.85億美元，加上爾必達的罰款，整起案件總罰金達到7.31億美元，多名高管被判處入獄。
原告認為，三家公司當年就曾通過協調產量和報價來操縱市場，如今只是將同樣的手法換成了「HBM轉型」的新包裝。
在可預見的未來，HBM對傳統DRAM產能的吞噬仍將持續，三巨頭在HBM領域的寡頭地位也讓它們有能力繼續主導產能分配節奏，這場訴訟能否改變儲存市場的供需格局仍有待觀察。
