SK海力士正在測試東京威力科創（TEL）最新的低溫蝕刻工具，可在 -70°C工作，以實現400層以上新型3D NAND。
消息人士透露，SK海力士已將測試晶片送至TEL實驗室測試，而不是裝在自家晶片廠。這有助SK海力士評估潛力，TEL新型蝕刻設備可在 -70°C超低溫高速蝕刻，與0-30°C現有蝕刻設備不同。
TEL最新蝕刻設備可在短短33分鐘內完成10微米深高深寬比蝕刻，比現有工具快三倍以上，為氧化物蝕刻。大幅提高3D NAND生產效率，有望重塑3D NAND設備的生產時間和產出品質。
消息人士指出，SK海力士將在321層NAND使用三層堆棧（triple-stack）結構。要蝕刻均勻性良好的深層內存信道孔是大挑戰，業界大都採用雙層堆棧甚至三層堆棧製造3D NAND，因蝕刻垂直孔相當困難。
因此採用TEL新型蝕刻設備後，未來可能以較少堆棧層數製造400層以上3D NAND。SK海力士目標是生產400層以上NAND，且根據性能，這些NAND有機會采單層或雙層堆棧結構。
當使用更少堆棧封裝更多層數，能使內存製造商降低成本，因製程變簡單。此外，SK海力士和三星也在研究使用低溫蝕刻設備，以降低碳排放。
TEL設備以氟化氫代替氟化碳，大量減少溫室氣體排放，三星也在自家晶片廠測試TEL試用版。
（首圖來源：SK海力士）
