IBM和日本創業公司晶片商Rapidus於IEEE IEDM 2024國際電子組件會議，展示合作的多閾值電壓GAA電晶體成果，有望用於Rapidus的2納米量產。
IBM表示，先進制程升級至2納米節點後，電晶體結構由使用多年的FinFET鰭式場效應電晶體，轉成GAAFET全環繞柵極場效應電晶體，對製程改朝換代帶來新挑戰。如何達多閾值電壓（Multi Vt），讓晶片以較低電壓執行複雜計算是個挑戰。
IBM強調，2納米製程N型和P型半導體信道，距離相當狹窄，需精確曝雷射雷達到多閾值電壓，也不影響半導體性能。IBM攜手Rapidus導入兩種選擇性減少層（SLR）晶片構建，成功完成目標。
IBM研究院高級技術人員Bao Ruqiang表示，與FinFET相較，Nanosheet納米片結構非常不同，且更複雜。新技術比以前方法更簡單。相信將使合作夥伴Rapidus更容易可靠量產2納米晶片。
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