去年11月，SK海力士宣布量產當時全球最高的321層1Tb TLC 4D NAND閃存，相比上一代238層NAND閃存，數據傳輸速度和讀取性能分別提高了12%和13%，並且數據讀取能效也提高10%以上。今年8月，SK海力士宣布已開發出321層2Tb QLC NAND閃存產品，計劃2026年下半年開始出貨，並進一步擴大銷售。
據TrendForce報道，SK海力士的產品線里，DRAM優先級一直高於NAND閃存。不過隨著主要雲服務供應商的存儲需求激增，對QLC SSD的需求持續上升，SK海力士也希望加速進軍NAND閃存市場，目前正在推進引入混合鍵合技術，開發第10代 (V10) NAND閃存，層數預計在300層起步，甚至更多。
第10代NAND閃存最突出特點就是SK海力士首次部署混合鍵合技術，這是一種將兩個半導體晶圓連接在一起的工藝，使它們成為一個單一的單元。在上一代 (V9) 321層NAND閃存，SK海力士是將外圍電路放在晶圓的底部，然後單元堆疊在上面。
不過以往的這種方式隨著堆疊層數的增加，風險也變得更大，混合鍵合技術可以很好地解決這一問題，甚至可以縮短生產時間。雖然過去業界普遍認為SK海力士要到400層堆疊才引入混合鍵合技術，不過為了儘早實現商業化，SK海力士決定在300層堆疊階段就應用新技術。
此外，SK海力士還打算擴大現有第9代NAND閃存的產品，隨著eSSD需求暴漲，工廠已接近滿負荷生產。
