近日有報道稱，美光在HBM4
供應上出現了一些問題，導致落後於三星和SK海力士，英偉達可能會對原先規劃的訂單進行調整，將部分美光的訂單轉交給三星，三星的份額將從20%升至30%，而美光則相反，從30%降至20%。外界猜測，如果美光的HBM4問題嚴重，甚至可能被排除在HBM4供應商名單之外。
據TrendForce報道，近日在公開活動中，美光執行副總裁兼首席財務官Mark Murphy駁斥了美光被英偉達邊緣化的傳言，稱這些報道都是「不準確的」，表示美光已經開始大規模生產HBM4，並向客戶出貨。
按照Mark Murphy說法，實際情況應該是HBM4生產提速，量產時間從第二季度前移至第一季度。同時Mark Murphy還強調，美光的HBM4良品率與預期相符，正在按計劃推進，可以提供速率超過11Gbps的產品。
美光的HBM4採用了1ß (1-beta) DRAM工藝製造，為2048-bit接口，每個堆棧的帶寬超過了2.0 TB/s，性能比上一代產品提高了60%以上，同時還內置自檢（MBIST）功能。與美光的上一代HBM3E產品相比，這次HBM4的功率效率提高了20%以上。
隨著英偉達Vera Rubin平台進入量產階段，三星、SK海力士和美光在HBM4的爭奪戰也變得愈發激烈。
