在2026年第二季度財報電話會議上，台積電（TSMC）董事長兼總裁魏哲家宣布，將向美國亞利桑那州項目追加1000億美元的投資，以支持2nm晶圓廠及先進封裝和測試設施的建造。台積電最早投資650億美元在亞利桑那州建造Fab 21，去年初追加了1000億美元，加上今年的部分，使得投資總額已經達到了2650億美元，涵蓋10座晶圓廠和2座先進封裝廠，另外還有1間主要的研發團隊中心。
據Wccftech報道，近日台積電首席財務官（CFO）黃仁昭在接受媒體採訪時表示，決定對美國亞利桑那州的投資是看到當地客戶強勁的需求，這是一個多年結構性的需求增長，對於半導體和人工智慧（AI）未來的行情非常樂觀。
據黃仁昭介紹，亞利桑那州鳳凰城的Fab 21在第一階段採用N4工藝，已經啟動並運行，良品率與台灣的晶圓廠同樣出色；第二階段很快就來到搬運工具的部分，將支持N3工藝，預計2027年下半年開始投產；第三階段將引入N2工藝，已經開始建設工程；第四階段是當地先進封裝設施的第一階段，準備工作已經開啟。工程的進度取決於市場狀況和客戶需求，台積電也希望儘快完成。
黃仁昭承認，台積電在海外的產能擴張成本更高，在美國建設工廠的投入是台灣的四到五倍。海外工廠也會帶來盈利稀釋效應，預計第一階段就會開始，盈利能力將得到提升，到了第二階段會逐步改善。在2024年至2029年的五年期間，稀釋效應起初每年為2%至3%，隨後將擴大至每年3%至4%，隨著晶圓廠規模不斷擴大而提速。
