韓國朝鮮日報報道，三星DS部門內存業務部最近完成HBM4高帶寬內存邏輯晶片的設計，Foundry業務部方面也已經根據該設計，采4納米試產。待完成邏輯晶片的最終性能驗證後，三星將提供HBM4樣品驗證。
邏輯晶片也稱基礎裸片，對整體HBM堆棧發揮大腦作用，負責控制上方多層DRAM晶片。HBM4時代，內存堆棧I/O引腳數量倍增，需集成更多功能等一系列因素，使得全球三大內存原廠均採用邏輯半導體代工製造來邏輯晶片。
報引導用韓國市場人士說法，執行工作時發熱是HBM最大敵人，而在堆棧整體中邏輯晶片更是發熱大戶，采先進制程有助改善HBM4能效與性能表現。
三星試圖HBM4採取更積極路線，以挽回HBM3E流失的HBM市場占有率。除自家4納米製造邏輯晶片外，HBM4還導入10納米級1c製程生產DRAM，有望16層堆棧導入無凸塊混合鍵合。
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