在英特爾2021年公布的「四年五個製程節點」的半導體工藝路線圖裡，Intel 7和Intel 4已實現大規模量產；Intel 3正在按計劃推進，目標是2023年底；Intel 20A和Intel 18A進展順利，目標是2024年，將採用RibbonFET全環繞柵極電晶體和PowerVia背面供電技術。英特爾堅信，如果能按時推進項目，那麼到2025年憑藉Intel 18A就能夠重新回到領先位置。
據The Motley Fool報道，近日台積電總裁兼聯合行政總裁魏哲家在公司財報電話會議上表示，台積電內部評估顯示，N3P工藝在性能與能效上與Intel 18A技術相當，但上市時間更早，技術上也更為成熟，而且成本還要低得多。同時還重申台積電的N2工藝優於競爭對手的Intel 18A，2025年推出時將成為半導體行業最先進的技術。
在英特爾看來，Intel 20A和Intel 18A分別屬於2nm和1.8nm級別，有可能比台積電同級別製造工藝更早上線，而且有RibbonFET全環繞柵極電晶體和PowerVia背面供電技術加持，所以技術上領先於對方。顯然台積電持不同的看法，雖然其3nm製程節點的N3、N3E、N3P和N3X等工藝僅依賴於成熟的FinFET電晶體和傳統的供電設計，但是技術運用上更為嫻熟，實際效果並不比對方差。
台積電計劃在2nm製程節點採用Gate-all-around FETs（GAAFET）電晶體，同時將使用背面供電（BSPD）技術來提高性能，製造的過程仍依賴於現有的極紫外（EUV）光刻技術。台積電認為引入新一代技術後，N2工藝將在功率、性能、面積上全面勝出。
