三星在本周的「NGL 2026」上，更新了未來的半導體製造技術路線圖。相比於2024年時的路線圖，三星做了一些調整，其中還涉及到大家關心的1.4nm和1nm製程節點，以及High-NA EUV技術的應用。
據TomsHardware報道，三星並不急於將SF1.4（1.4nm）工藝推向市場，量產時間放在了2029年，接下來的幾年裡將專注於完善基於2nm製程節點的工藝，包括SF2P、SF2X、SF2A和SF2Z等，並推進BSPDN背面供電技術的應用。
就如去年三星所說的那樣，希望通過優化2nm製程節點的性能和能耗表現，提高良品率，使其更適合業界使用，也更具商業競爭力。另外三星已經與特斯拉簽下了長期供應協議，為對方製造2nm晶片，首要任務是確保主要客戶的訂單。
在2030年左右將轉向1nm級別的製程節點，首次確認引入High-NA EUV技術，相比過去流傳的2nm和1.4nm製程節點要更晚一些。除了初代SF1.4，三星還將帶來增強版的SF1.4+，與基於1nm製程節點的新工藝共存。
雖然三星使用High-NA EUV光刻機進行研究已經超過一年，但是並不著急應用到生產中，稱該技術仍需進一步改進。現階段High-NA EUV光刻機面臨的最大問題是使用成本遠高於現有的EUV光刻機，其中涉及到整個供應鏈的變動。
