最新的酷睿Ultra 200S台式機處理器改用了分離式模塊架構，就是把以往的單一晶片內部根據不同分工分割成四個功能模塊，這樣做的好處就是可以用不同工藝去生產不同模塊，然後再用Foveros 3D封裝技術把這些模塊組合起來，非常的靈活，而且可以根據需求更換模塊，這樣就可以製作出不同的SKU。
至於代價嘛，其實AMD早就給我們演示過了，把處理器變成多晶片設計後內存延遲明顯大了，這問題在當年的銳龍3000處理器上最為明顯，只是這次輪到Intel了，實際測出來酷睿Ultra 9 285K的內存延遲明顯要比酷睿i9-14900K更大。雖然說Intel這邊的酷睿Ultra處理器得益於Foveros封裝技術，模塊間通信帶寬基本就是內存級的帶寬，速度相當之快，延遲也很低，但實際上由於內存控制器到CPU核心的路變複雜了，延遲增加幾乎不可避免。
14代酷睿之前的處理器的內存控制器是掛在系統代理上面的，CPU核心需要訪問內存時只需要經過環形總線，再到系統代理就能訪問到內存控制器。
處理器變成多芯設計後情況就複雜了許多，現在Arrow Lake的內存控制器位於SoC模塊內，掛在NOC總線上，CPU核心需要訪問內存時需要走環形總線，經過D2D接口與SoC模塊通信，然後再走NOC總線訪問內存控制器。
打個比方，就是原本你上班通勤是一條地鐵直達的，現在線路拆分變成了兩條線路，你中間要下車換乘一次才能到，即使路程一樣通勤時間也會變長。
在Arrow Lake這處理器上，CPU核心到內存的這條路是固定不能改了，但這並不代表這處理器的內存延遲徹底沒救了，路不能改但你可以給路提速啊，中間需要經過的環形總線Ring、D2D接口、NOC總線還有內存控制器頻率都是可以改的，內存控制器頻率和內存頻率掛鉤，Gear 2就是內存實際頻率的一半，Gear 4就是內存的四分之一，一般來說DDR5頻率不超過9000MT/s都能跑在Gear 2模式，目前Arrow Lake的內存控制器普遍能跑到2200MHz，體質好的能到2250MHz，當然能不能跑這麼高還得看你內存體質。
Ring、D2D還有NOC的頻率都是可以隨意調的，而且Ring頻率還是與CPU的L3緩存頻率直接掛鉤的，提高Ring頻率還能順便提高L3的性能，當然它們的上限是視各CPU體質而定的，我們今天就來看看調節這些總線和接口的頻率能對酷睿Ultra 9 285K的內存延遲造成多大的影響。
本次給酷睿Ultra 9 285K準備了三套內存，分別是DDR5-6000 C28、DDR5-7200 C34和DDR5-8200 C40，都是芝奇的產品，具體型號請看上表，由於需要對CPU和內存進行超頻，所以我們使用了微星MEG Z890 UNIFY-X 暗影這款主推超頻能力的主板，此外後面還會有遊戲測試看看內存性能的實際影響，所以使用RTX 4090顯卡。
微星有快速配置內存小參的選項Memory Extension Mode，裡面有Performance、Benchmark、Memtest、High Efficiency四個模式，四個模式對內存小參的修改各有不同，此外High Efficiency模式還會把D2D和NOC頻率拉到3.3GHz，下面我們先來看看主板自帶的這個功能能把內存延遲壓到多少。
XMP
這測試使用的是那套DDR5-8200 C40 CUDIMM內存，酷睿Ultra 9 285K默認的D2D頻率是2.1GHz，而NOC頻率則是2.6GHz，只開啟內存XMP的話，內存延遲是88ns。
Performance
Benchmark
Memtest
使用Performance、Benchmark、Memtest這三檔內存帶寬和延遲都是差不多的，內存讀取、寫入和複製都比只開XMP有明顯提升，內存延遲降至79ns左右。
使用High Efficiency模式模式的話內存寫入速度有一定的提升，內存讀取和複製和前面三個模式沒區別，內存延遲降低至73ns，拉D2D和NOC頻率對內存延遲改善還是很明顯的。
微星主板自帶的幾個模式內存小參的區別，我放出來給大家參考下：
上面的測試已經證明High Efficiency模式拉升處理器D2D和NOC頻率對改善內存延遲有明顯改善，解下來我們就在這基礎上分別進一步拉高Ring、D2D和NOC頻率，看看能把內存延遲壓到什麼地步。
我們把CPU的Ring頻率從3.8GHz拉到4.3GHz，D2D和NOC則可以進一步拉升至4.0GHz和3.5GHz，從結果來看拉D2D和NOC對內存延遲的降幅是差不多的，均降至72.8ns，這兩個頻率一齊拉的話效果可疊加但整體降幅並沒有增大多少，對Ring超頻的效果是很明顯的，內存延遲降低至71.3ns，當然了這三個頻率可以一齊超，內存延遲可以降低到70.7ns。內存延遲降幅曲線可看下表：
當然了降低內存延遲的更直接的方法是直接對內存本身動手腳，也就是對內存超頻，之前我們已經測試過芝奇這套炫鋒CK是能用DDR5-8600 C40-52-52-137穩定過TM5測試的，而在這基礎上我們對CPU的Ring、D2D和NOC進行超頻，頻率設置和上面一樣，最終酷睿Ultra 9 285K的內存延遲被我們壓到68.4ns，這也是我們手頭上的這套平台能穩定跑的最低內存延遲了，說真的還是要比上代要高不少。
下面我們就來看看壓低內存延遲對酷睿Ultra 9 285K到底有沒有幫助，測試全部都是在1080p解析度下進行的，儘量減少顯卡上的瓶頸，不過畫質依然是開啟非光追下的最高，此外遊戲測試只會使用CPU的默認設置。
我們對這套DDR5-8200 C40內存在XMP默認、Memtest模式、High Efficiency模式以及對CPU的Ring、D2D、NOC進行超頻後的遊戲性能做了測試。可以看出壓低內存延遲是對酷睿Ultra 9 285K的遊戲性能是一定改善的，單純改內存小參的Memtest模式可讓CPU的遊戲性整體提升5.8%，而略微對D2D和NOC進行超頻的High Efficiency模式遊戲性能比只開XMP提升了6.2%，而手動超頻的話則可進一步把增幅擴大到8.2%，可見對這三個頻率進行超頻是對遊戲性能有幫助的，特別是對Ring超頻增幅最大。
最後我們看看不同頻率的內存會對酷睿Ultra 9 285K的遊戲性能造成什麼影響，測試的內存分別是DDR5-6000 C28、DDR5-7200 C34和DDR5-8200 C40，只測試它們開啟XMP以及使用High Efficiency模式後的遊戲性能。
這測出來的結果其實挺讓人意外的，如果只開XMP的話DDR5-6000 C28和DDR5-8200 C40的遊戲性能幾乎沒區別，而DDR5-7200 C34這套內存反而略微高一點。而大家都開High Efficiency模式優化內存小參並把D2D和NOC頻率都提到3.3GHz的話，DDR5-6000 C28和DDR5-7200 C34的遊戲性能是一樣的，DDR5-8200 C40就略微要好一點，也就是說高頻內存的上限會更好一點，但這三套內存的整體表現確實差不多，所以無需過分追求高頻內存。
由於Arrow Lake處理器結構的問題，現在想壓低內存延遲確實要比以往要麻煩很多，Ring、NGU、D2D三個頻率都會對內存延遲造成影響，實際操作時建議三個頻率一齊拉會有最好的效果，本次測試所用的頻率是較為保守的，大家可以繼續往上嘗試。
另外對這三個頻率進行改動基本上都是要改對應的電壓設置的，保持自動讓主板自己去調電壓不是不行，但可能會造成不穩定，所以我這裡簡單說下有那些電壓是需要注意的。Ring超頻是有兩個地方要改頻率的，一個是Ring Ratio，另一個則是Min Ring Ratio，前者是Ring的最高頻率，後者則是最低頻率，對應的是Ring Voltage這個電壓選項，最高不要超過1.5V。
對NGU頻率進行改動時需要對SA Volatge和SOC NGU Volatge進行改動，前者最好不要超過1.3V，後者最好別超過1.2V。D2D頻率則對應VAANON Voltage，最好別超過0.95V，其實這個保持自動也可以。
說真的這次測試雖然大幅壓低了酷睿Ultra 9 285K的內存延遲，並且讓處理器的遊戲性能提升了8%，但說真的這並不足矣讓著處理器遊戲性能有質的變化，先不說對手，這依然達不到上代酷睿i9-14900K的水平，多少還是有點讓人失望的。
