Western Digital 即將分拆的 Sandisk 部門舉行了投資者日會議，透露了今年晚些時候將推出的三款新型 SSD 的細節，以及高帶寬閃存 (HBF) 的計劃，這是相當於高帶寬內存 (HBM) 的 NAND 等效產品。
為了在分拆前向投資者證明其業務的穩健性，Sandisk 高管展示了他們對市場、技術趨勢和產品策略的看法，以顯示其技術對客戶的吸引力和持續相關性。
Sandisk 最新的 3D NAND 產品稱為 BiCS8，擁有 218 層，用於製造 2Tb QLC 晶片，據稱是目前量產中容量最大的 NAND 晶片。Sandisk 還預覽了超過 300 層的 BiCS9 世代產品，將用於製造 1Tb TLC 晶片。一般來說，WD/Sandisk 將 TLC NAND 用於性能驅動器，QLC NAND 用於注重容量的驅動器。公司展示了預測客戶端 SSD 市場中 QLC 占比增長的幻燈片，以及 PCIe gen 5 的深入滲透情況。
這將應用於第一款新產品，一款支持 PCIe gen 4 接口的 PC QLC 產品，容量包括 512GB、1TB 和 2TB。
這款注重容量的驅動器將於今年晚些時候出貨，同時還有一款使用更快 TLC NAND 的性能導向型 PC gen 5 產品，容量包括 512GB、1TB、2TB 和 4TB。上述幻燈片圖像中包含了初步性能數據。
此外還預覽了一款面向數據中心的大容量驅動器 UltraQLC DC SN670：
UltraQLC 的特點在於其控制器具有硬體加速器，可擴展到 64 Die/Channel 級別，能夠根據工作負載需求調整功率，並包含"集成高級切換模式總線復用控制"。切換模式 NAND 使用雙倍數據速率接口實現更快的數據傳輸，而多路復用器 (Mux) 管理數據通道。Sandisk 版本的這項技術將更高效地管理 NAND-SSD 控制器數據流。
SN670 使用 PCIe gen 5 總線，容量為 64TB 或 128TB，可用容量分別為 61.44TB 或 122.88TB。計劃於 2025 年第三季度出貨。去年 11 月，Solidigm 和 Phison 都宣布推出 122.88TB 的 SSD。
Sandisk 展示了容量 eSSD 的發展規劃，2025 年達到 128TB，2026 年 256TB，2027 年 512TB，之後達到 1PB，但未指明具體年份。
在未來技術方面，Sandisk 談到了 3D Matrix Memory (DRAM)，用於解決內存牆問題（內存容量和帶寬之間日益增長的差距）。該公司正與 IMEC 合作開發這項技術，進行 4-8Gbit 容量的 CMOS 開發項目。
公司還在開發帶寬優化的 NAND，即 HBF 概念，聲稱可以在相同成本下提供與 HBM 相當的帶寬，但容量是 HBM 的 8 至 16 倍。
實際上，疊層 HBM DRAM 將全部或部分被 NAND 層取代，通過邏輯晶片和中間層與主機 GPU/CPU/TPU 連接。8 層堆疊可以有 6 個 512GB NAND 晶片和 2 個 HBM 晶片，提供 3.12PB 的總容量，相比之下 8Hi HBM 晶片的總容量為 192GB。
全 HBF 8Hi 堆疊將具有 4PB 的容量。Sandisk 表示，具有 16 位權重的約 1.8 萬億參數的大語言模型需要 3.6PB 內存，可以裝入 8Hi HBF 晶片中。如果設想在智慧型手機上運行 LLM，那麼 640 億參數的 MoE 模型可以裝入手機中的 HBF 晶片。公司預見三代 HBF，第二代的容量是第一代的 1.5 倍，讀取帶寬提高 1.45 倍，第三代在這兩個方面都是第一代的 2 倍。能源效率也將逐代提升。
HBF 與 HBM 不能直接兼容，但具有相同的電氣接口，"只需要少量協議更改"。
Sandisk 希望幫助形成開放的 HBF 標準生態系統，正在組建一個由"行業名人和合作夥伴"組成的技術顧問委員會。
如果 HBF 理念得到推廣，被 Micron、Samsung 和/或 SK hynix 採用，我們可能就會有一個接近存儲級內存的概念。
