日本Rapidus正推進其2nm工藝,有報道首次披露了該節點的邏輯密度,據稱與台積電的N2相當。
據透露,Rapidus的2HP工藝節點的邏輯密度達到了237.31百萬電晶體/平方毫米(MTr/mm²),與台積電N2工藝的236.17 MTr/mm²相當。
這一數據表明,Rapidus的2HP工藝在邏輯密度上與台積電的N2工藝處於同一水平線,甚至在某些方面更具優勢。

相比之下,英特爾的18A工藝的邏輯密度為184.21 MTr/mm²,明顯低於Rapidus和台積電的水平。
Rapidus的2HP工藝採用了高密度(HD)單元庫,單元高度為138單位,基於G45間距,這種設計旨在實現最大邏輯密度。
而英特爾更注重性能/功耗比,因此更高的密度並非其主要目標,特別是18A工藝主要用於內部使用。
Raipidus share the data with 2nm(Named 2HP)
— Kurnal (@Kurnalsalts) August 31, 2025
so that,we can know the NEXT Gen process technology in Logic Density pic.twitter.com/sHsjJB3mn8
此外,Rapidus採用了單片前端處理技術,可專注於對有限生產量進行調整,並將改進成果擴展到最終產品中,Rapidus計劃在2026年第一季度向客戶提供其2nm工藝設計套件。