IBM宣布，與泛林集團（Lam Research）達成了一項為期五年的戰略合作協議。基於雙方長期合作的成功記錄，新協議將聚焦新材料、先進蝕刻/沉積工藝、High-NA EUV光刻工藝，推動實現「亞1納米（Sub-1nm）」製程工藝的開發。
IBM與泛林集團之間有著十多年的合作經驗，推動了製程工藝技術的發展，特別是7nm、納米片和極紫外光刻（EUV）工藝的早期技術。隨著半導體行業進入3D微縮的新時代，需要重新思考如何將材料、工藝和光刻技術整合為一個單一的高密度系統，以推動下一階段的進步。
根據這次達成的新協議，雙方會將工作重點放在新型材料開發、適用於複雜器件架構的先進蝕刻/沉積工藝、運用新的High-NA EUV光刻技術，整合IBM位於紐約奧爾巴尼園區的研發能力與泛林集團端到端的工藝工具及創新技術，以實現下一代互連和器件圖案化，加速行業採用，更好地應對半導體行業的下一輪挑戰。
「亞1納米」製程工藝被認為是半導體行業超越2nm製程節點後，下一代半導體製造工藝技術的極限。其節點數值小於10埃米（1nm/納米=10A/埃米），矽材料的物理特性面臨嚴峻挑戰，短溝道效應將變得更加明顯。
