今年8月，英偉達
宣布推出NVHBM。這是一種定製HBM，進一步擴展了NVLink Fusion生態系統，為XPU帶來更高的內存性能和效率。其中採用了定製的基礎裸片（Base Die），相比於標準的HBM4E，將內存控制器集成至基礎裸片，可以提供更高的頻寬，同時功耗更低，晶片面積也更小。作為HBM領域的主要客戶，英偉達的決定影響著儲存晶片製造商的選擇。
據Wccftech報道，英偉達的NVHBM需要三星和台積電的參與，在製造領域採取更為精簡的流程。三星和台積電似乎已經聯手，開發3nm工藝製造的基礎裸片，最終目標是打造一個標準化產品，減少質量驗證步驟。
傳聞英偉達已經要求三星、美光和SK海力士選擇台積電3nm工藝，生產NVHBM所需要的基礎裸片。這麼做的最大好處是，英偉達無需分別驗證各廠商樣品，節省了寶貴的時間和資源，減輕了不必要的負擔。其中三星已經接受了這一要求，也是其首次改變自身的HBM製造流程，考慮到HBM的巨大需求，並不介意與台積電組建臨時聯盟。不過三星仍然在評估自家代工廠，擔心NVHBM的需求超過了台積電的產能。
其實早些時候就有消息稱，三星打算在定製HBM的基礎裸片上採取雙軌並行策略，根據客戶的需求，提供自家代工廠和台積電製造的基礎裸片。如果客戶選擇台積電，相關設計將由儲存業務部門負責。
今年三星的HBM4量產十分順利，其中的基礎裸片採用了自家代工的4nm工藝製造。由於三星的HBM4市場需求日益增長，不但拉動了儲存收入，也有力地支持了三星的晶圓代工業務。傳聞三星4nm生產線的50%至60%產能都用於生產HBM4的基礎裸片，使其晶圓代工業務在2026年的虧損同比減少42%。
